Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 165 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
204-7199
メーカー型番:
SiR626ADP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

165A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SiR626ADP

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.75mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

83nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

104W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

5.26mm

高さ

6.25mm

幅

1.12 mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET は、最低の RDS - Qoss FOM に合わせて調整されています。

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パッケージ電源 PAK SO-8

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