Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 65.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiR106ADP-T1-RE3

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RS品番:
200-6863
メーカー型番:
SiR106ADP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

65.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

TrenchFET Gen IV

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

83.3W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

52nC

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

高さ

6.15mm

長さ

5.15mm

幅

5.15 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay SiR106AD-T1-RE3 は、 N チャンネル 100 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

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