Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 137 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiR180ADP-T1-RE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥1,723.00

(税抜)

￥1,895.30

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 1,125 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 145￥344.60￥1,723
150 - 1420￥302.40￥1,512
1425 - 1895￥261.80￥1,309
1900 - 2395￥219.40￥1,097
2400 +￥178.60￥893

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
210-5001
メーカー型番:
SiR180ADP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

137A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SiR180ADP

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

46.2nC

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

83.3W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.12mm

幅

5.26 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.25mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak SO-8 パッケージタイプです。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

関連ページ