STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 95 A 650 V, 表面 デプレッション型, 7-Pin パッケージH2PAK

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1000個入り) 小計:*

¥4,123,750.00

(税抜)

¥4,536,120.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年8月31日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
1000 - 1000¥4,123.75¥4,123,750
2000 - 2000¥4,063.107¥4,063,107
3000 - 3000¥4,002.463¥4,002,463
4000 - 4000¥3,941.82¥3,941,820
5000 +¥3,881.177¥3,881,177

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
202-5480
メーカー型番:
SCTH100N65G2-7AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

95A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

SCT

パッケージ型式

H2PAK

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.02Ω

チャンネルモード

デプレッション型

順方向電圧 Vf

2.8V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

162nC

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Min

-65°C

最大許容損失Pd

360W

動作温度 Max

175°C

高さ

15.25mm

長さ

10.4mm

4.8 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

STの先進的かつ革新的な第2世代SiC MOSFET技術により開発された、ST 車載用SiC(シリコン・カーバイド)パワーMOSFETです。単位面積あたりのオン抵抗が非常に低く、スイッチング性能に優れています。

高速かつ堅牢なボディ・ダイオード

低静電容量

関連ページ