STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 100 A 1200 V, 表面 デプレッション型, 7-Pin, SCTW100N65G2AG パッケージH2PAK

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梱包形態
RS品番:
202-5486
メーカー型番:
SCTW100N65G2AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

H2PAK

シリーズ

SCT

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.105Ω

チャンネルモード

デプレッション型

順方向電圧 Vf

2.8V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

162nC

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

420W

動作温度 Max

200°C

高さ

34.95mm

規格 / 承認

No

幅

5.15 mm

長さ

15.75mm

自動車規格

なし

STMicroelectronics 車載グレードシリコンカーバイドパワー MOSFET は、 ST の Advanced and イノベーティブな第 2 世代 SiC MOSFET 技術を使用して開発されています。このデバイスは、ユニット面積あたりのオン抵抗が非常に低く、非常に優れたスイッチング性能を発揮します。

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非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです

低静電容量

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