STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 45 A 650 V, スルーホール デプレッション型, 3-Pin, SCTW35N65G2VAG パッケージHip-247

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梱包形態
RS品番:
202-5488
メーカー型番:
SCTW35N65G2VAG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

45A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

SCT

パッケージ型式

Hip-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.055Ω

チャンネルモード

デプレッション型

順方向電圧 Vf

3.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

73nC

最大許容損失Pd

240W

動作温度 Max

200°C

規格 / 承認

No

長さ

15.75mm

高さ

34.95mm

幅

5.15 mm

自動車規格

なし

STMicroelectronics 車載グレードシリコンカーバイドパワー MOSFET は、 ST の Advanced and イノベーティブな第 2 世代 SiC MOSFET 技術を使用して開発されています。このデバイスは、ユニット面積あたりのオン抵抗が非常に低く、非常に優れたスイッチング性能を発揮します。

非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです

低静電容量

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