- RS品番:
- 202-5697
- メーカー型番:
- NTH4L020N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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215 - 279 | ¥5,714.00 |
280 - 359 | ¥5,446.00 |
360 + | ¥5,265.00 |
- RS品番:
- 202-5697
- メーカー型番:
- NTH4L020N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、20モーム、1200 V、M1、TO-247-4L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、20モーム、1200 V、M1、TO-247-4L
ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 102 アンペアと 1200 V で動作します。無停電電源、 DC 又は DC コンバータ、ブーストインバータで使用できます。
ドレイン - ソース間オン抵抗: 20 m
超低ゲート電荷
アバランシェ100 %テスト済み
鉛フリー
RoHS対応
超低ゲート電荷
アバランシェ100 %テスト済み
鉛フリー
RoHS対応
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 84 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
パッケージタイプ | TO-247-4 |
シリーズ | NTH |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 4 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.028 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 4.3 |
トランジスタ素材 | SiC |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
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