onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 84 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247, NTH4L020N120SC1

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梱包形態
RS品番:
202-5697
メーカー型番:
NTH4L020N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

84A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

NTH

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

28mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

220nC

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

順方向電圧 Vf

3.7V

最大許容損失Pd

510W

動作温度 Max

175°C

幅

5.2 mm

規格 / 承認

No

長さ

18.62mm

高さ

15.2mm

自動車規格

なし

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、20モーム、1200 V、M1、TO-247-4L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、20モーム、1200 V、M1、TO-247-4L


ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 102 アンペアと 1200 V で動作します。無停電電源、 DC 又は DC コンバータ、ブーストインバータで使用できます。

ドレイン - ソース間オン抵抗： 20 m

超低ゲート電荷

アバランシェ100 %テスト済み

鉛フリー

RoHS対応

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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