onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 29 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247, NTH4L080N120SC1

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梱包形態
RS品番:
202-5701
メーカー型番:
NTH4L080N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

NTH

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

最大許容損失Pd

170W

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

15.2mm

高さ

22.74mm

幅

5.2 mm

自動車規格

なし

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、TO-247-4L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、TO-247-4L


ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 29 A 、 1200 V で動作します。無停電電源、ブーストインバータ、産業用モータドライブ、 PV 充電器で使用することができます。

ドレイン - ソース間オン抵抗： 110 m

超低ゲート電荷

アバランシェ100 %テスト済み

鉛フリー

RoHS対応

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