onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, NVBG040N120SC1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥7,453.00

(税抜)

￥8,198.30

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 652 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 38￥3,726.50￥7,453
40 - 378￥3,654.50￥7,309
380 - 498￥3,393.00￥6,786
500 - 638￥3,243.50￥6,487
640 +￥3,136.50￥6,273

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
202-5731
メーカー型番:
NVBG040N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

NVB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

56mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

106nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

178W

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

動作温度 Max

150°C

幅

4.7 mm

規格 / 承認

AEC-Q101

長さ

10.2mm

高さ

15.7mm

自動車規格

なし

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、D2PAK−7LシリコンカーバイドMOSFET、N?チャンネル、1200 V、40 m?, D2PAK?7L


ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 60 アンペアと 1200 V で動作します。車載オンボード充電器、 DC / DC コンバータの用途で使用できます。

AEC Q101 認定

製造部品承認プロセス対応

アバランシェ100 %テスト済み

低実効出力静電容量

関連ページ