型番

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, NTBG040N120SC1

RS品番:: 202-5690
メーカー型番:: NTBG040N120SC1
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, NTBG040N120SC1

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40 - 370	￥3,030.80	￥15,154
375 - 495	￥2,787.80	￥13,939
500 - 595	￥2,634.20	￥13,171
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RS品番:: 202-5690
メーカー型番:: NTBG040N120SC1
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	60A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	1200V
	パッケージ型式	TO-263
	シリーズ	NTB
	取付タイプ	表面
	ピン数	7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	40mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	106nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	25 V
	最大許容損失Pd	357W
	順方向電圧 Vf	3.7V
	動作温度 Max	175°C
	長さ	10.2mm
	幅	4.7 mm
	規格 / 承認	RoHS
	高さ	15.7mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 60A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V
	パッケージ型式 TO-263
	シリーズ NTB
	取付タイプ表面
	ピン数 7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 40mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 106nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 25 V
	最大許容損失Pd 357W
	順方向電圧 Vf 3.7V
	動作温度 Max 175°C
	長さ 10.2mm
	幅 4.7 mm
	規格 / 承認 RoHS
	高さ 15.7mm
	自動車規格なし

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、D2PAK−7L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、D2PAK?7L

ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 60 アンペアと 1200 V で動作します。無停電電源、 DC 又は DC コンバータ、ブーストインバータで使用できます。

40 m Ω のドレイン - ソース間オン抵抗

超低ゲート電荷

アバランシェ100 %テスト済み

鉛フリー

RoHS対応

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, NTBG040N120SC1

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シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、D2PAK−7L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、D2PAK?7L

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