onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 17.3 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247, NVH4L160N120SC1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥5,189.00

(税抜)

￥5,707.90

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年3月10日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 15￥1,037.80￥5,189
20 - 195￥1,032.00￥5,160
200 - 245￥1,024.20￥5,121
250 - 345￥1,018.80￥5,094
350 +￥1,010.80￥5,054

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
202-5743
メーカー型番:
NVH4L160N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

17.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

NVH

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

160mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

順方向電圧 Vf

4V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

34nC

最大許容損失Pd

111W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

AEC-Q101 and PPAP Capable

長さ

15.8mm

高さ

22.74mm

幅

5.2 mm

自動車規格

AEC-Q101

シリコンカーバイド(SiC)MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、TO247−4L


ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 17.3 Ampere 及び 1200 V で動作します。車載オンボード充電器、 DC / DC コンバータの用途で使用できます。

AEC Q101 認定

アバランシェ100 %テスト済み

低実効出力静電容量

RoHS対応

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ