onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 102 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247

ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本450個入り) 小計:*

¥2,453,750.10

(税抜)

¥2,699,125.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月06日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1チューブあたりの価格*
450 - 450¥5,452.778¥2,453,750
900 - 900¥5,396.413¥2,428,386
1350 - 1350¥5,340.049¥2,403,022
1800 - 1800¥5,283.684¥2,377,658
2250 +¥5,227.32¥2,352,294

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
202-5734
メーカー型番:
NVH4L020N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

102A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

NVH

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

28mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

220nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

510W

動作温度 Max

175°C

高さ

22.74mm

長さ

15.8mm

5.2 mm

規格 / 承認

AEC-Q101 and PPAP Capable

自動車規格

なし

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、20モーム、1200 V、M1、TO247−4LシリコンカーバイドMOSFET、N?チャンネル、1200 V、20 m?, TO247?4L


ON Semiconductor シリコンカーバイドパワーMOSFETは、102A、1200Vで動作します。車載オンボード充電器、 DC / DC コンバータの用途で使用できます。

AEC Q101 認定

製造部品承認プロセス対応

100%アバランシェ試験済み

低実効出力容量

関連ページ