STMicroelectronics SiC電源モジュール, Nチャンネル, 1.2 kV, 45 A, 0.09 Ω, 3ピン, パッケージ：Hip-247

MOSFET・モスフェット の一覧へ
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
RS品番:
204-3951
メーカー型番:
SCT30N120H
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

SiC電源モジュール

チャンネルタイプ

N

最大ドレイン-ソース間電圧(Vds)

1.2 kV

最大連続ドレイン電流(Id)

45 A

最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds)

0.09 Ω

ピン数

3

パッケージ型式

Hip-247

チャンネルモード

エンハンスメント型

取付タイプ

スルーホール

シリーズ

SCT30N120H

COO（原産国）:
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

Very tight variation of on-resistance vs. temperature

Very high operating junction temperature capability (TJ = 200°C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。