STMicroelectronics SiC電源モジュール, Nチャンネル, 45 A, スルーホール, 3 ピン, SCT30N120H

STMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET は、ワイドバンドギャップ材料の Advanced で革新的な特性を利用して製造されています。この結果、ユニットあたりの最高のオン抵抗と非常に優れたスイッチング性能が、温度とほぼ無関係に実現されています。SiC 素材の優れた熱特性と、独自の HiP247 パッケージに収められたデバイスのハウジングを組み合わせることで、設計者は業界標準の外形を使用して、熱特性を大幅に向上させることができます。このような特長により、高効率及び高電力密度用途に最適です。

対オン抵抗の非常に厳密な変動温度
非常に高いジャンクション動作温度性能（ TJ = 200 ° C ）
非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです
低静電容量

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