STMicroelectronics SiC電源モジュール, Nチャンネル, 1.2 kV, 45 A, 0.09 Ω, 3ピン, パッケージ：Hip-247

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梱包形態
RS品番:
204-3952
メーカー型番:
SCT30N120H
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

SiC電源モジュール

チャンネルタイプ

N

最大ドレイン-ソース間電圧(Vds)

1.2 kV

最大連続ドレイン電流(Id)

45 A

最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds)

0.09 Ω

ピン数

3

パッケージ型式

Hip-247

チャンネルモード

エンハンスメント型

取付タイプ

スルーホール

シリーズ

SCT30N120H

COO（原産国）:
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

Very tight variation of on-resistance vs. temperature

Very high operating junction temperature capability (TJ = 200°C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

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