STMicroelectronics SiC電源モジュール, タイプNチャンネル, 12 A 1200 V, スルーホール エンハンスメント型, 3-Pin, SCT10N120H パッケージHip-247
- RS品番:
- 204-3950
- メーカー型番:
- SCT10N120H
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 2 - 48 | ¥2,605.00 | ¥5,210 |
| 50 - 98 | ¥2,547.00 | ¥5,094 |
| 100 - 248 | ¥2,488.00 | ¥4,976 |
| 250 - 498 | ¥2,430.00 | ¥4,860 |
| 500 + | ¥2,371.00 | ¥4,742 |
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- RS品番:
- 204-3950
- メーカー型番:
- SCT10N120H
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | SiC電源モジュール | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| パッケージ型式 | Hip-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.52Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ SiC電源モジュール | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 12A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
パッケージ型式 Hip-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.52Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
- COO(原産国):
- CN
STMicroelectronicsシリコンカーバイドパワーMOSFETは、ワイドバンドギャップ素材の先進的で革新的な特性を活用して製造されています。これにより、単位面積あたりの優れたオン抵抗と、ほぼ温度に関係なく非常に優れたスイッチング性能が得られます。SiC素材の優れた熱特性と、独自のHiP247パッケージに収められたデバイスのハウジングにより、業界標準のアウトラインを使用し、熱性能を大幅に向上させることができます。これらの特長により、このデバイスは高効率で高電力密度の用途に最適です。
温度に対するオン抵抗の非常に狭い変動
非常に高い動作ジャンクション温度能力(TJ = 200 °C)
非常に高速で堅牢なボディダイオード
低容量
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