Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 25.5 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
204-7216
メーカー型番:
SiJ128LDP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

25.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SiJ128LDP

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

15.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

22.3W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

高さ

6.25mm

規格 / 承認

No

幅

1.14 mm

長さ

5.25mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 80 V （ D-S ） MOSFET は、 Qg と Qoss が非常に低く、電力損失を削減して効率を向上しています。Qg と Qoss が非常に低く、電力損失を削減し、効率を向上させています。

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