Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 60 A, 表面 パッケージPowerPAK SO-8L, SIJ482DP-T1-GE3
- RS品番:
- 256-7419
- メーカー型番:
- SIJ482DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 600 - 1198 | ¥249.50 | ¥499 |
| 1200 - 2398 | ¥208.50 | ¥417 |
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- RS品番:
- 256-7419
- メーカー型番:
- SIJ482DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK SO-8L | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0095Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 PowerPAK SO-8L | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0095Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay Semiconductor Nチャンネル80 V (D-S) mosfet 60 A (Tc) 5 W (Ta)、69.4 W (Tc) 表面実装、用途: DC、DCプライマリサイドスイッチ、同期整流、高電流スイッチング。
TrenchFETパワーモスフェット
100 % Rg及びUISテスト済み
5 Vゲートドライブで動作可能
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