Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 39.3 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8, SiJ462ADP-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
204-7215
メーカー型番:
SiJ462ADP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

39.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SiJ462ADP

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

22.3W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

幅

1.14 mm

規格 / 承認

No

高さ

6.25mm

長さ

5.25mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET は、 Qg と Qoss が非常に低く、電力損失を削減して効率を向上しています。柔軟なリード線により、機械的応力に耐えることができます。

Vishay N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET は、 Qg と Qoss が非常に低く、電力損失を削減して効率を向上しています。柔軟なリード線により、機械的応力に耐えることができます。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

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