Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 52.1 A, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SiR4602LDP-T1-RE3

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RS品番:
239-5384
メーカー型番:
SiR4602LDP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

52.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

シリーズ

SiR

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0088Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.1nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

43W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay TrenchFET NチャンネルパワーMOSFETのドレイン電流は52.1 Aです。同期整流、一次側スイッチ、DC/DCコンバータ、モータ駆動スイッチに使用されます。

非常に低いRDS x Qg性能指数

最低のRDS x Qoss性能指数

100 % Rg及びUISテスト済み

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