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詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFETおよびダイオード
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	24A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	SUPERFET III
	パッケージ型式	TO-263
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	125mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	181W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	46nC
	動作温度 Max	150°C
	幅	9.6 mm
	長さ	14.6mm
	高さ	4.6mm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 24A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ SUPERFET III
	パッケージ型式 TO-263
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 125mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 181W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 46nC
	動作温度 Max 150°C
	幅 9.6 mm
	長さ 14.6mm
	高さ 4.6mm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - FCB125N65S3

ON Semiconductor SUPERFET III シリーズ N チャンネル MOSFET は、電荷バランス技術を使用して、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現した、高電圧スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET ファミリです。この Advanced Technology は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高い dv/dt レートに耐えられるようになっています。

連続ドレイン電流定格： 24 A

ソース間のドレイン抵抗定格は 125 mhm です

超低ゲート電荷

出力静電容量に低い蓄積エネルギー

アバランシェ100 %テスト済み

パッケージタイプは D2-PAK です

onsemi MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 24 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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