onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 11 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, FCB11N60TM

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梱包形態
RS品番:
671-0337
メーカー型番:
FCB11N60TM
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

11A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

SuperFET

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

380mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

40nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

125W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

順方向電圧 Vf

1.4V

動作温度 Max

150°C

幅

9.65 mm

規格 / 承認

No

高さ

4.83mm

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

SuperFET® / SuperFET® II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor


Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET® II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します。

高度な電荷量バランス技術を採用しているので、基板上で占有するスペースが小さく、信頼性が向上するため、より効率的で、コスト効果が高く、高性能なソリューションを達成できます。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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