onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 20 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 166-1748
- メーカー型番:
- FCB20N60TM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
納期未定
世界的な供給不足により、 この商品の再入荷の目処が立っておりません。
- RS品番:
- 166-1748
- メーカー型番:
- FCB20N60TM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 20A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | SuperFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 190mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 75nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 208W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.4V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 9.65 mm | |
| 長さ | 9.65mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 20A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ SuperFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 190mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 75nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 208W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
順方向電圧 Vf 1.4V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 4.83mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 9.65 mm | ||
長さ 9.65mm | ||
自動車規格 なし | ||
SuperFET® / SuperFET® II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor
Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET® II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します。
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MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
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