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詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFETおよびダイオード
	最大連続ドレイン電流Id	13A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	800V
	パッケージ型式	TO-220
	シリーズ	SUPERFET III
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	360mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	25.3nC
	最大許容損失Pd	31W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	150°C
	幅	9.96 mm
	長さ	28.45mm
	高さ	4.5mm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード
	最大連続ドレイン電流Id 13A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V
	パッケージ型式 TO-220
	シリーズ SUPERFET III
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 360mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 25.3nC
	最大許容損失Pd 31W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	幅 9.96 mm
	長さ 28.45mm
	高さ 4.5mm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - NTPF360N80S3Z

ON Semiconductor SUPERFET III シリーズ N チャンネル 800 V MOSFET は、フライバックコンバータの一次スイッチに最適化されていて、最適化された設計により、 EMI 性能を犠牲にすることなく、スイッチング損失とケース温度を下げることができます。さらに、内蔵のツェナーダイオードにより、 ESD 機能が大幅に向上します。この新しいファミリは、ラップトップアダプタ、オーディオ、照明、 ATX 電源、産業用電源などのスイッチング電源用途で並外れた性能を発揮するため、効率性、コンパクト性、発熱量、堅牢性に優れた用途に対応できます。

連続ドレイン電流定格： 13 A

ソース間のドレイン抵抗定格： 360 mhm

超低ゲート電荷

出力静電容量に低い蓄積エネルギー

アバランシェ100 %テスト済み

パッケージタイプは TO-220F です

onsemi MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 800 V, 13 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220

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