onsemi MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 800 V, 13 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, NTD360N80S3Z

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梱包形態
RS品番:
205-2498
メーカー型番:
NTD360N80S3Z
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

13A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

シリーズ

SUPERFET III

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

360mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25.3nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

96W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

幅

5.55 mm

高さ

2.39mm

長さ

9.35mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

ON Semiconductor SUPERFET III シリーズ N チャンネル 800 V MOSFET は、フライバックコンバータの一次スイッチに最適化されていて、最適化された設計により、 EMI 性能を犠牲にすることなく、スイッチング損失とケース温度を下げることができます。さらに、内蔵のツェナーダイオードにより、 ESD 機能が大幅に向上します。この新しいファミリは、ラップトップアダプタ、オーディオ、照明、 ATX 電源、産業用電源などのスイッチング電源用途で並外れた性能を発揮するため、効率性、コンパクト性、発熱量、堅牢性に優れた用途に対応できます。

連続ドレイン電流定格： 13 A

ソース間のドレイン抵抗定格： 360 mhm

超低ゲート電荷

出力静電容量に低い蓄積エネルギー

アバランシェ100 %テスト済み

パッケージタイプは D-PAK です

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