1 DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 3.4 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージTSOT

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥60,900.00

(税抜)

￥66,990.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000￥20.30￥60,900
15000 - 27000￥20.093￥60,279
30000 - 72000￥19.689￥59,067
75000 - 147000￥19.308￥57,924
150000 +￥18.914￥56,742

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
206-0081
メーカー型番:
DMN3061SVT-7
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

3.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

DMN3061

パッケージ型式

TSOT

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

200mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.7V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.5nC

最大許容損失Pd

1.08W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

2.9mm

高さ

0.9mm

幅

1.6 mm

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
DiodesZetex 30 V デュアル N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。ゲートソース電圧は 20 V 、熱消費電力は 0.88 W です。

低入力静電容量

高速スイッチング速度

関連ページ