1 DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 3.4 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN3061SVT-7 パッケージTSOT
- RS品番:
- 206-0083
- メーカー型番:
- DMN3061SVT-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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| 1375 - 1725 | ¥46.32 | ¥1,158 |
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- RS品番:
- 206-0083
- メーカー型番:
- DMN3061SVT-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | DMN3061 | |
| パッケージ型式 | TSOT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 200mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 1.08W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.7V | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 2.9mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.6 mm | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 3.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ DMN3061 | ||
パッケージ型式 TSOT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 200mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 1.08W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.5nC | ||
順方向電圧 Vf 0.7V | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 2.9mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.6 mm | ||
高さ 0.9mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
DiodesZetex 30 V デュアル N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。ゲートソース電圧は 20 V 、熱消費電力は 0.88 W です。
DiodesZetex 30 V デュアル N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。ゲートソース電圧は 20 V 、熱消費電力は 0.88 W です。
低入力静電容量
高速スイッチング速度
低入力静電容量
高速スイッチング速度
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