型番

DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 4.6 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型パッケージTSOT-26

RS品番:: 222-2826
メーカー型番:: DMN2053UVTQ-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 4.6 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型パッケージTSOT-26

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15000 - 27000	￥16.109	￥48,327
30000 - 72000	￥16.059	￥48,177
75000 - 147000	￥16.008	￥48,024
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RS品番:: 222-2826
メーカー型番:: DMN2053UVTQ-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	4.6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	シリーズ	DMN
	パッケージ型式	TSOT-26
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.035Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	12 V
	最大許容損失Pd	1.1W
	順方向電圧 Vf	0.7V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	3.6nC
	トランジスタ構成	デュアル
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 4.6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	シリーズ DMN
	パッケージ型式 TSOT-26
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.035Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 12 V
	最大許容損失Pd 1.1W
	順方向電圧 Vf 0.7V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.6nC
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - DMN2053UVTQ-7

DiodesZetex デュアル N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗（ RDS （ ON ））を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

低オン抵抗

低入力静電容量

高速スイッチング速度

低入出力リーク電流

低オン抵抗

低入力静電容量

高速スイッチング速度

低入出力リーク電流

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DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 4.6 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージTSOT-26

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