1 DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 33 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージPowerDI5060
- RS品番:
- 206-0096
- メーカー型番:
- DMNH6035SPDW-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥109.937 | ¥274,843 |
| 5000 - 22500 | ¥108.32 | ¥270,800 |
| 25000 - 35000 | ¥106.704 | ¥266,760 |
| 37500 - 47500 | ¥105.087 | ¥262,718 |
| 50000 + | ¥103.47 | ¥258,675 |
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- RS品番:
- 206-0096
- メーカー型番:
- DMNH6035SPDW-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 33A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | DMNH6035 | |
| パッケージ型式 | PowerDI5060 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 44mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.75V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最大許容損失Pd | 68W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 幅 | 5.8 mm | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 33A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ DMNH6035 | ||
パッケージ型式 PowerDI5060 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 44mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.75V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10nC | ||
最大許容損失Pd 68W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.05mm | ||
幅 5.8 mm | ||
長さ 4.9mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
- COO(原産国):
- CN
DiodesZetex 60 V N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。ゲートソース電圧は 20 V 、熱消費電力は 2.4 W です。
定格 +175 ° C は、高周囲温度環境に最適です
低 Qg - スイッチング損失を最小化します
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