DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 10 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥67,072.50

(税抜)

￥73,780.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,500 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 10000￥26.829￥67,073
12500 - 22500￥26.806￥67,015
25000 - 60000￥26.784￥66,960
62500 - 122500￥26.76￥66,900
125000 +￥26.738￥66,845

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
206-0156
メーカー型番:
DMT616MLSS-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

10A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

DMT616

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

21mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13.6nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.39W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

5.9mm

規格 / 承認

No

高さ

1.4mm

幅

4.85 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
DiodesZetex 60 V 、 8 ピン N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されていて、高効率の電源管理用途に最適です。ゲートソース電圧は 20 V 、熱放散は 1.39 W です。

高速スイッチング速度

低入力静電容量

関連ページ