型番

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 10 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

RS品番:: 206-0156
メーカー型番:: DMT616MLSS-13
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 10 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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個	単価	購入単位毎合計*
2500 - 10000	￥27.50	￥68,750
12500 - 22500	￥27.475	￥68,688
25000 - 60000	￥27.453	￥68,633
62500 - 122500	￥27.429	￥68,573
125000 +	￥27.406	￥68,515

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RS品番:: 206-0156
メーカー型番:: DMT616MLSS-13
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	10A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	シリーズ	DMT616
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	21mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	13.6nC
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大許容損失Pd	1.39W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	長さ	5.9mm
	高さ	1.4mm
	幅	4.85 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 10A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	シリーズ DMT616
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 21mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13.6nC
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大許容損失Pd 1.39W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	長さ 5.9mm
	高さ 1.4mm
	幅 4.85 mm
	自動車規格なし

Datasheet - DMT616MLSS-13

COO（原産国）:: CN

DiodesZetex 60 V 、 8 ピン N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されていて、高効率の電源管理用途に最適です。ゲートソース電圧は 20 V 、熱放散は 1.39 W です。

高速スイッチング速度

低入力静電容量

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 10 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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