STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 34 A 600 V, 表面 エンハンスメント型, 8-Pin, STO67N60M6
- RS品番:
- 206-8633
- メーカー型番:
- STO67N60M6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 206-8633
- メーカー型番:
- STO67N60M6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 34A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 54mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 34A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 54mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
STMicroelectronics MDmesh M6テクノロジーは、SJ MOSFETの有名で統合されたMDmeshファミリの最新の進歩を取り入れています。STMicroelectronicsは、前世代のMDmeshデバイスをベースに、単位面積当たりの優れたRDS（on）改善と最も効率的なスイッチング動作の1つを組み合わせた新しいM6テクノロジーを採用し、最終使用効率を最大限に高めるユーザーフレンドリーな体験を実現しています。
スイッチング損失の削減
以前の世代に比べてエリアごとのRDS(on)が低い
低ゲート入力抵抗
100% アバランシェ試験済み
ツェナー保護
高クリープページパッケージ
余分な駆動源ピンによる優れたスイッチング性能
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