Texas Instruments MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージVSONP
- RS品番:
- 208-8479
- メーカー型番:
- CSD17575Q3
- メーカー/ブランド名:
- Texas Instruments
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- RS品番:
- 208-8479
- メーカー型番:
- CSD17575Q3
- メーカー/ブランド名:
- Texas Instruments
仕様
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Texas Instruments | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | NexFET | |
| パッケージ型式 | VSONP | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 23nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大許容損失Pd | 108W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.4 mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Texas Instruments | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ NexFET | ||
パッケージ型式 VSONP | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 23nC | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大許容損失Pd 108W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.4 mm | ||
高さ 1mm | ||
長さ 3.4mm | ||
自動車規格 なし | ||
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