Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 204 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥607,305.00

(税抜)

￥668,034.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 3,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥202.435￥607,305
6000 - 27000￥201.082￥603,246
30000 - 42000￥199.739￥599,217
45000 - 57000￥198.387￥595,161
60000 +￥197.034￥591,102

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
210-4956
メーカー型番:
SiDR626LDP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

204A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SiDR626LDP

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

125W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

4.9 mm

高さ

0.51mm

長さ

5.9mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak SO-8DC パッケージタイプです。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

上面冷却を採用し、熱伝達領域を拡大

関連ページ