Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 25 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
204-7230
メーカー型番:
SIDR220DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SiDR220DP

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.58mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

125W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

200nC

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

6.25mm

幅

5.15 mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 25 V （ D-S ） MOSFET は、 Qg 、 Qgd 、 Qgd/Qgs 比が最適化されており、スイッチング関連の電力損失を低減します。

100 % Rg及びUISテスト済み

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

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