Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 204 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiDR626LDP-T1-RE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥2,712.00

(税抜)

￥2,983.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 5,680 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 145￥542.40￥2,712
150 - 1420￥474.60￥2,373
1425 - 1895￥407.80￥2,039
1900 - 2395￥339.20￥1,696
2400 +￥271.80￥1,359

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
210-4957
メーカー型番:
SiDR626LDP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

204A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SiDR626LDP

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

125W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

長さ

5.9mm

規格 / 承認

No

高さ

0.51mm

幅

4.9 mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak SO-8DC パッケージタイプです。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

上面冷却を採用し、熱伝達領域を拡大

関連ページ