Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 204 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiDR626LDP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
210-4957
メーカー型番:
SiDR626LDP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

204A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SiDR626LDP

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

125W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

5.9mm

幅

4.9 mm

高さ

0.51mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak SO-8DC パッケージタイプです。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

上面冷却を採用し、熱伝達領域を拡大

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