Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 60 V, 204 A, 1.2 mΩ, 41 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8
- RS品番:
- 210-4957
- メーカー型番:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 210-4957
- メーカー型番:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 204A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | SiDR626LDP | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 41nC | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 5.9mm | |
| 高さ | 0.51mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 204A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ SiDR626LDP | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 41nC | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 5.9mm | ||
高さ 0.51mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak SO-8DC パッケージタイプです。
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
超低RDS - Qg性能指数(FOM)
最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み
100 % Rg及びUISテスト済み
上面冷却を採用し、熱伝達領域を拡大
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