Vishay MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 100 A, 1.16 mΩ, 204 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8
- RS品番:
- 200-6839
- メーカー型番:
- SIDR638DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 200-6839
- メーカー型番:
- SIDR638DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | TrenchFET Gen IV | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.16mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 204nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 5.15mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.15mm | |
| 高さ | 610μm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ TrenchFET Gen IV | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.16mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 204nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 5.15mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.15mm | ||
高さ 610μm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SIDR638DP-T1-RE3 は、 40 V （ D-S ） N チャンネル MOSFET です。
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
超低RDS - Qg性能指数(FOM)
最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み
上面冷却を採用し、熱伝達領域を拡大
100 % Rg及びUISテスト済み
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