型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 7 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

RS品番:: 210-4960
メーカー型番:: SIHA17N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 7 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

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250 - 450	￥228.96	￥11,448
500 - 1200	￥216.62	￥10,831
1250 - 2450	￥210.50	￥10,525
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RS品番:: 210-4960
メーカー型番:: SIHA17N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	800V
	シリーズ	E
	パッケージ型式	TO-220
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	250mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	62nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	34W
	動作温度 Max	150°C
	長さ	28.1mm
	高さ	4.3mm
	幅	9.7 mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V
	シリーズ E
	パッケージ型式 TO-220
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 250mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 62nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 34W
	動作温度 Max 150°C
	長さ 28.1mm
	高さ 4.3mm
	幅 9.7 mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - SIHA17N80AE-GE3

Vishay E シリーズパワー MOSFET は、ドレイン電流が 7 A の薄型 TO-220 FULLPAK パッケージタイプです。

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低実効静電容量（ Co （ er ））

スイッチング損失及び導電損失を低減

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）