Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 7.5 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220
- RS品番:
- 210-4964
- メーカー型番:
- SIHA21N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 250 - 450 | ¥327.42 | ¥16,371 |
| 500 - 1200 | ¥320.46 | ¥16,023 |
| 1250 - 2450 | ¥314.68 | ¥15,734 |
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- RS品番:
- 210-4964
- メーカー型番:
- SIHA21N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | E | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 205mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 48nC | |
| 最大許容損失Pd | 33W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 28.1mm | |
| 高さ | 4.3mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 9.7 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 7.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ E | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 205mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 48nC | ||
最大許容損失Pd 33W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 28.1mm | ||
高さ 4.3mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 9.7 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay E シリーズパワー MOSFET は、ドレイン電流 7.5 A の薄型 TO-220 FULLPAK パッケージタイプです。
低性能指数(FOM): Ron x Qg
低実効静電容量( Co ( er ))
スイッチング損失及び導電損失を低減
アバランシェエネルギー定格( UIS )
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