Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 15 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本50個入り) 小計：*

￥16,264.00

(税抜)

￥17,890.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 650 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
1チューブあたりの価格*
50 - 200￥325.28￥16,264
250 - 450￥318.78￥15,939
500 - 1200￥312.28￥15,614
1250 - 2450￥305.78￥15,289
2500 +￥300.56￥15,028

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
210-4993
メーカー型番:
SIHP17N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

15A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

250mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

179W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

9.96 mm

高さ

4.24mm

長さ

14.69mm

自動車規格

なし

Vishay E シリーズパワー MOSFET は、ドレイン電流 15 A の TO-220AB パッケージタイプです。

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低実効静電容量（ Co （ er ））

スイッチング損失及び導電損失を低減

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）

関連ページ