Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 17.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHB21N80AE-GE3

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梱包形態
RS品番:
210-4977
メーカー型番:
SIHB21N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

17.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

E

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

205mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

48nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

179W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

14.61mm

幅

9.65 mm

規格 / 承認

No

高さ

4.06mm

自動車規格

なし

Vishay E シリーズパワー MOSFET は、ドレイン電流 17.4 A の D2PAK （ TO-263 ）パッケージタイプです。

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低実効静電容量（ Co （ er ））

スイッチング損失及び導電損失を低減

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）

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