Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 800 V, 17.4 A エンハンスメント型, 表面実装, 3-Pin パッケージTO-263, SIHB21N80AE-T5-GE3

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RS品番:
735-129
メーカー型番:
SIHB21N80AE-T5-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

17.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

SIHB21N80AE

取付タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.205Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

48nC

最大許容損失Pd

179W

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

0.42mm

規格 / 承認

RoHS

幅

0.355mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
IL
VishayパワーMOSFETは、電源で高効率と堅牢な性能を発揮し、サーバーおよび通信環境での要求の厳しい用途に適しています。エネルギー管理を最適化し、損失を最小限に抑えるように設計されています。

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