Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 800 V, 17.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHB21N80AE-T5-GE3
- RS品番:
- 735-129
- メーカー型番:
- SIHB21N80AE-T5-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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- RS品番:
- 735-129
- メーカー型番:
- SIHB21N80AE-T5-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 17.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| シリーズ | SIHB21N80AE | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.205Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 48nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 0.355mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 0.42mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
最大連続ドレイン電流Id 17.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
シリーズ SIHB21N80AE | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.205Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 48nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 0.355mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 0.42mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- IL
VishayパワーMOSFETは、電源で高効率と堅牢な性能を発揮し、サーバーおよび通信環境での要求の厳しい用途に適しています。エネルギー管理を最適化し、損失を最小限に抑えるように設計されています。
低効率静電容量により、応答時間を短縮
単一構成により、設計と統合を効率化
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