Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 800 V, 17.4 A エンハンスメント型, 表面実装, 3-Pin パッケージTO-263, SIHB21N80AE-T1-GE3

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RS品番:
735-128
メーカー型番:
SIHB21N80AE-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

17.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

シリーズ

SIHB21N80AE

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.205Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

48nC

最大許容損失Pd

179W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

0.42mm

幅

0.355mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
IL
VishayパワーMOSFETは、電源やその他の用途で効率的に動作するように設計されており、エネルギー損失を削減し、信頼性を向上させることを目的としています。

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