Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 137 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIDR680ADP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
204-7258
メーカー型番:
SIDR680ADP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

137A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SiDR680ADP

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.88mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

125W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

55nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

5.9mm

高さ

0.51mm

幅

4.9 mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 80 V （ D-S ） MOSFET は、超低 RDS - Qg 性能指数（ FOM ）を備え、最低の RDS - Qoss FOM に合わせて調整されています。

100 % Rg及びUISテスト済み

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

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