Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 266 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8, SQJ140EP-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
210-5031
メーカー型番:
SQJ140EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

266A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SQJ140EP

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

49.2nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

88W

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.25mm

規格 / 承認

No

高さ

1.12mm

幅

5.26 mm

自動車規格

なし

Vishay Automotive N チャンネル 40 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET は、 PowerPak SO-8L パッケージタイプで、ドレイン電流が 266 A です。

Vishay Automotive N チャンネル 40 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET は、 PowerPak SO-8L パッケージタイプで、ドレイン電流が 266 A です。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み

Qgd/qgs < 1 でスイッチング特性を最適化

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100 % Rg及びUISテスト済み

Qgd/qgs < 1 でスイッチング特性を最適化

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