Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 66 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8, SQJ150EP-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
210-5045
メーカー型番:
SQJ150EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

66A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

SQJ150EP

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

最大許容損失Pd

65W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

幅

6.25 mm

高さ

1.1mm

規格 / 承認

No

長さ

5mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay Automotive N チャンネル 40 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET は、 PowerPak SO-8L パッケージタイプで、ドレイン電流が 66 A です。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み

Qgd/qgs < 1 でスイッチング特性を最適化

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