型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 32 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージSO-8, SQJ412EP-T1_GE3

RS品番:: 787-9496
メーカー型番:: SQJ412EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 32 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージSO-8, SQJ412EP-T1_GE3

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1425 - 1895	￥352.40	￥1,762
1900 - 2395	￥293.80	￥1,469
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RS品番:: 787-9496
メーカー型番:: SQJ412EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	32A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	SO-8
	シリーズ	SQ Rugged
	取付タイプ	表面
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	8.5mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	83W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	80nC
	順方向電圧 Vf	0.8V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	長さ	5mm
	規格 / 承認	No
	高さ	1.14mm
	幅	5.03 mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 32A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 SO-8
	シリーズ SQ Rugged
	取付タイプ表面
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8.5mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 83W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC
	順方向電圧 Vf 0.8V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	長さ 5mm
	規格 / 承認 No
	高さ 1.14mm
	幅 5.03 mm
	自動車規格 AEC-Q101

NチャンネルMOSFET、車載用SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor

Vishay SemiconductorのMOSFET SQシリーズは、高い耐久性と信頼性を必要とするすべての車載用途に対応した設計です。

SQ高耐久性シリーズMOSFETの利点

• AEC-Q101認定

• ジャンクション温度: 最高+175 °C

• 低オン抵抗n / pチャンネルTrenchFET®技術

• 画期的な省スペースのパッケージオプション

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101