Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 375 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK (8x8L), SQJQ148E-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
210-5060
メーカー型番:
SQJQ148E-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

375A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

SQJQ148E

パッケージ型式

PowerPAK (8x8L)

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

325W

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

69nC

動作温度 Max

175°C

高さ

1.7mm

8.1 mm

規格 / 承認

No

長さ

8mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay Automotive N チャンネル 40 V ( D-S ) 175 ° C MOSFET は、 PowerPak 8 x 8 L パッケージタイプで、ドレイン電流が 375 A

Vishay Automotive N チャンネル 40 V ( D-S ) 175 ° C MOSFET は、 PowerPak 8 x 8 L パッケージタイプで、ドレイン電流が 375 A

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み

薄い 1.6 mm パッケージ

非常に低い熱抵抗

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

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100 % Rg及びUISテスト済み

薄い 1.6 mm パッケージ

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