型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 375 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）, SQJQ148E-T1_GE3

RS品番:: 210-5060
メーカー型番:: SQJQ148E-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 375 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）, SQJQ148E-T1_GE3

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5 - 95	￥496.00	￥2,480
100 - 945	￥434.40	￥2,172
950 - 1245	￥372.00	￥1,860
1250 - 1595	￥310.40	￥1,552
1600 +	￥248.40	￥1,242

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RS品番:: 210-5060
メーカー型番:: SQJQ148E-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	375A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	SQJQ148E
	パッケージ型式	PowerPAK （8x8L）
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.3mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	69nC
	順方向電圧 Vf	1.1V
	最大許容損失Pd	325W
	動作温度 Max	175°C
	幅	8.1 mm
	長さ	8mm
	規格 / 承認	No
	高さ	1.7mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 375A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ SQJQ148E
	パッケージ型式 PowerPAK （8x8L）
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.3mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 69nC
	順方向電圧 Vf 1.1V
	最大許容損失Pd 325W
	動作温度 Max 175°C
	幅 8.1 mm
	長さ 8mm
	規格 / 承認 No
	高さ 1.7mm
	自動車規格 AEC-Q101

Vishay Automotive N チャンネル 40 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET は、 PowerPak 8 x 8 L パッケージタイプで、ドレイン電流が 375 A

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み

薄い 1.6 mm パッケージ

非常に低い熱抵抗

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 375 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）, SQJQ148E-T1_GE3

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