型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 372 A, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK （8x8LR）, SQJQ148ER-T1_GE3

RS品番:: 225-9965
メーカー型番:: SQJQ148ER-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 372 A, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK （8x8LR）, SQJQ148ER-T1_GE3

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個	単価	購入単位毎合計*
5 - 95	￥510.00	￥2,550
100 - 945	￥446.60	￥2,233
950 - 1245	￥383.00	￥1,915
1250 - 1595	￥319.80	￥1,599
1600 +	￥255.40	￥1,277

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RS品番:: 225-9965
メーカー型番:: SQJQ148ER-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	372A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	N-Channel 40 V
	パッケージ型式	PowerPAK （8x8LR）
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3.1mΩ
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	68nC
	最大許容損失Pd	394W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	0.8V
	動作温度 Max	175°C
	幅	8 mm
	長さ	8.3mm
	規格 / 承認	AEC-Q101
	高さ	1.6mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 372A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ N-Channel 40 V
	パッケージ型式 PowerPAK （8x8LR）
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.1mΩ
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 68nC
	最大許容損失Pd 394W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 0.8V
	動作温度 Max 175°C
	幅 8 mm
	長さ 8.3mm
	規格 / 承認 AEC-Q101
	高さ 1.6mm
	自動車規格 AEC-Q101

Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み

薄い 1.6 mm パッケージ

非常に低い熱抵抗

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 372 A, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK （8x8LR）, SQJQ148ER-T1_GE3

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