STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1200 V 45 A スルーホール パッケージHiP247-4 4 ピン

STMicroelectronics 650 V 、 55 m Ω SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET は、同じ電圧定格及び同等のオン状態抵抗のトレンチフィールドストップ（ TFS ） IGBT を搭載しています。STPOWER SiC MOSFET は、高温でも大幅なスイッチング損失の低減を実現します。これにより、設計者は非常に高いスイッチング周波数で動作し、小型フォームファクタでの受動部品のサイズを縮小できます。

超低スイッチング損失
高温時の低電力損失
高い動作温度（最高 200 ˚ C ）
リカバリ損失のないボディダイオード
運転が簡単

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