STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 45 A, スルーホール, 3-Pin パッケージHip-247
- RS品番:
- 212-2093
- メーカー型番:
- SCTWA40N120G2V-4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 30 - 120 | ￥2,805.033 | ￥84,151 |
| 150 - 270 | ￥2,763.767 | ￥82,913 |
| 300 - 720 | ￥2,722.567 | ￥81,677 |
| 750 - 1470 | ￥2,681.267 | ￥80,438 |
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- RS品番:
- 212-2093
- メーカー型番:
- SCTWA40N120G2V-4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 45A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| シリーズ | SCTWA40N120G2V-4 | |
| パッケージ型式 | Hip-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 70mΩ | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 61nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22 V | |
| 順方向電圧 Vf | 3.3V | |
| 最大許容損失Pd | 277W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 200°C | |
| 幅 | 21.1 mm | |
| 高さ | 5.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 15.9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 45A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
シリーズ SCTWA40N120G2V-4 | ||
パッケージ型式 Hip-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 70mΩ | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 61nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22 V | ||
順方向電圧 Vf 3.3V | ||
最大許容損失Pd 277W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 200°C | ||
幅 21.1 mm | ||
高さ 5.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 15.9mm | ||
自動車規格 なし | ||
SiC MOSFET
STMicroelectronics 650 V 、 55 m Ω SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET は、同じ電圧定格及び同等のオン状態抵抗のトレンチフィールドストップ（ TFS ） IGBT を搭載しています。STPOWER SiC MOSFET は、高温でも大幅なスイッチング損失の低減を実現します。これにより、設計者は非常に高いスイッチング周波数で動作し、小型フォームファクタでの受動部品のサイズを縮小できます。
超低スイッチング損失
高温時の低電力損失
高い動作温度（最高 200 ˚ C ）
リカバリ損失のないボディダイオード
運転が簡単
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