STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 45 A, スルーホール, 3-Pin パッケージHip-247, SCTWA40N120G2V-4

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梱包形態
RS品番:
212-2094
メーカー型番:
SCTWA40N120G2V-4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

45A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

Hip-247

シリーズ

SCTWA40N120G2V-4

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

70mΩ

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

61nC

順方向電圧 Vf

3.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

最大許容損失Pd

277W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

200°C

幅

21.1 mm

高さ

5.1mm

長さ

15.9mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

SiC MOSFET


STMicroelectronics 650 V 、 55 m Ω SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET は、同じ電圧定格及び同等のオン状態抵抗のトレンチフィールドストップ（ TFS ） IGBT を搭載しています。STPOWER SiC MOSFET は、高温でも大幅なスイッチング損失の低減を実現します。これにより、設計者は非常に高いスイッチング周波数で動作し、小型フォームファクタでの受動部品のサイズを縮小できます。

超低スイッチング損失

高温時の低電力損失

高い動作温度（最高 200 ˚ C ）

リカバリ損失のないボディダイオード

運転が簡単

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