STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 60 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージHip-247, SCTWA60N120G2-4

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梱包形態
RS品番:
230-0094
メーカー型番:
SCTWA60N120G2-4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

Hip-247

シリーズ

SCTW

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

52mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

388W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

順方向電圧 Vf

3V

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

15.9mm

規格 / 承認

No

幅

5.1 mm

高さ

21.1mm

自動車規格

なし

STMicroelectronics SCTWA60N は、 ST の Advanced and 革新的な第 2 世代 SiC MOSFET 技術を使用して開発されたシリコンカーバイドパワー MOSFET デバイスです。このデバイスは、ユニット面積あたりのオン抵抗が非常に低く、非常に優れたスイッチング性能を発揮します。スイッチング損失の変動は、ジャンクション温度とほぼ独立しています。

非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです

非常に低いゲート電荷量と入力静電容量

ソース検出ピンにより効率が向上しています

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